• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    本發明提供一種防塵薄膜，其適用於照射含有i線、h線、g線的350nm~450nm的波長範圍的紫外線的光微影步驟中，且為便宜且耐光性優良的防塵薄膜。本發明的防塵薄膜是照射350nm~450nm的波長範圍的紫外線的光微影步驟中所用的防塵薄膜組件用防塵薄膜。該防塵薄膜的特徵是在原料防塵薄膜的至少曝光光源側的表面上賦予有紫外線吸收層，其對於350nm~450nm的波長範圍的紫外線的平均透過率為90%以上，且對於200nm~300nm的波長範圍的紫外線的平均透過率為50%以下。
    公开号:TW201305721A
    申请号:TW101111217
    申请日:2012-03-30
    公开日:2013-02-01
    发明作者:Kazutoshi Sekihara
    申请人:Shinetsu Chemical Co；
    IPC主号:G03F1-00
    专利说明:
    表層膜、其製造方法以及鋪設該膜的表層
    本發明是有關於一種半導體裝置、IC封裝、印刷基板、液晶顯示器或者有機EL顯示器等的製造時作為防塵物使用的防塵薄膜組件，特別是有關於一種使用i線(365 nm)、h線(405 nm)或者g線(436 nm)的任一者，或者將它們複合而成的紫外線作為曝光光源的光微影步驟中使用的防塵薄膜、其製造方法以及貼附該膜的防塵薄膜組件。
    LSI(Large Scale Integration，大型積體電路)、超LSI等的半導體，IC封裝體、印刷基板等的電路基板，液晶顯示器以及有機EL顯示器等的製造中，在半導體晶圓、封裝基板或者顯示器用原板表面上設置光阻，然後，通過具有圖案的光罩向其照射光，顯影以製作圖案。此時所用的光罩(photomask)或者初縮遮罩(reticle)(以下，均稱為光罩)如有灰塵附著，該灰塵對光進行吸收或使光彎曲，因此存在下列問題：轉印的圖案就會變形或者圖案的邊緣就會模糊，除此以外，基底變黑而髒污等，最終產品的尺寸、品質以及外觀等受損之問題。
    因此，這些操作通常在無塵室中進行，但是即使如此，要使光罩時常保持清潔也是困難的。因此，要在光罩表面貼附防塵薄膜組件作為防塵物後再進行曝光。在該情況下，異物就不會直接附著在光罩的表面上，而是附著在防塵薄膜組件上，因此光微影時只要將焦點對位於光罩的圖案上，防塵薄膜組件上的異物就與轉印無關了。
    一般而言，防塵薄膜組件是將光良好透過的透明的防塵薄膜貼附或接著在包括鋁、不銹鋼以及工程塑膠等的防塵薄膜組件框架的上端面而製作。進一步，在防塵薄膜組件框架的下端，設置有用於光罩的安裝的包括聚丁烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、丙烯酸樹脂、熱熔黏著劑、矽酮樹脂等的黏著層，以及視需要而設置有以保護該黏著層為目標的脫膜層(剝離片)。
    另外，在將防塵薄膜組件貼附於光罩的狀態下，為了使防塵薄膜組件內部圍成的空間與外部沒有氣壓差，在防塵薄膜組件框架的一部分設置氣壓調整用的小孔，為了防止通過該小孔的移動空氣所帶入的異物，有時也設置過濾器。
    作為防塵薄膜，要選擇與曝光使用的光源相對應的最適宜的材料而使用。例如，在使用ArF雷射(193 nm)或者KrF雷射(248 nm)的情況下，使用對該波長的光有充分的透過率和耐光性的氟類樹脂(專利文獻1)。
    另外，在使用i線(365 nm)、h線(405 nm)以及g線(436 nm)進行曝光的情況下，可以使用硝化纖維素、乙基纖維素、丙酸纖維素等的纖維素類樹脂，聚乙烯基縮醛樹脂以及環烯烴類樹脂等(專利文獻2、專利文獻3以及專利文獻4)。這些的光源中，一般使用高壓水銀燈或者超高壓水銀燈。
    高壓水銀燈以及超高壓水銀燈具有在254 nm~577 nm之間具有數個峰的寬波長的特性。它們之中，從發光量以及光能量的觀點而言，光微影中可以良好地使用最高強度的i線(365 nm)，然後為g線(436 nm)以及h線(405 nm)的光，偶爾也使用313 nm的光。另外，在顯示器製造用途等特別重視產量的情況下，並不單獨使用特定的波的光，而是使用例如365 nm~436 nm的全部的光。
    上述的氟樹脂，對短波長幾乎沒有吸收，可以使用短波長且高能量的KrF雷射以及ArF雷射的波長，所以即便使用比它們的能量低的i線、g線等的波長當然也完全沒有問題。但是氟樹脂有成本極高的缺點。因此一般在i線~g線的波長範圍中，考慮作為防塵薄膜材料的種種特性，多使用便於使用的纖維素類樹脂等。 [先前技術文獻] [專利文獻]
    [專利文獻1]日本專利特開平03-39963
    [專利文獻2]日本專利特開平01-100549
    [專利文獻3]日本專利特開平01-172430
    [專利文獻4]日本專利特開2010-152308
    近年，在光微影步驟中，為了描繪線寬更細的電路以及提高生產性，要求更高的曝光強度。若曝光強度變高，則促進防塵薄膜的紫外線造成的劣化，從而發生膜厚的減少、透過率的變低、霧化(haze)的發生等的問題。具體而言，光罩的鉻(Cr)層所遮光的部分由於沒有照射到紫外線，所以沒有任何變化，但是沒有Cr層的部分(描繪圖案的部分)中，防塵薄膜表面直接照射到紫外線，該部分的膜受到損傷。
    如上述，曝光光源在使用高壓水銀燈或者超高壓水銀燈的情況下，自這些光源發生的光中，不僅有曝光用的i線、h線、g線，還有其他波長的光，若列舉具有代表性者，則包括254 nm、302 nm、313 nm等的短波長光。這些短波長的光，特別是254 nm的光，具有比纖維素類樹脂等構成防塵薄膜的分子的鍵結能量還要高的能量，因此其鍵結會被切斷。鍵結被切斷的分子從而分解、氣化，因此防塵薄膜表面被削取而膜厚減少。
    若部分防塵薄膜組件的膜厚減少，則光路長變得不均勻，除光學上較不佳以外，表面變得不平整而光會散射，因此透過率亦變低。另外，膜強度減少，在進一步嚴重的情況下，防塵薄膜上的張力變得不均勻，亦有防塵薄膜表面上發生折皺的情況。
    為了防止這樣的問題，在自曝光光源發生的光中，將254 nm、302 nm、313 nm等圖案化不使用的短波長的光除去即可。作為其方法，例如可以列舉從曝光光源到光罩的光路中，插入僅將這些短波長的光除去的過濾器，或者插入對這些短波長的光以外的光進行反射的反光鏡(mirror)等。另外，在沒有光罩的圖案面的側，亦可附加具有同樣的過濾器功能的層。這些過濾器功能可藉由如下而獲得：在石英玻璃等的過濾器用基板或光罩本身的圖案面的相反側，例如將TiO2，ZnO2，CeO2等的在短波長範圍有吸收的無機材料藉由蒸鍍或濺鍍等的方法而使其附著。但是，這樣的加工成本不一定便宜，而且這些材料的折射率高且反射大，因此有使曝光使用的光的強度變低的壞處。因此，不是在曝光機或光罩側進行對應，而是要在防塵薄膜組件側進行對應。
    但是，將上述的無機材料賦予至防塵薄膜上是極為困難的。其原因在於：蒸鍍或濺鍍進行時必須將防塵薄膜收納至真空室內，但是由於在減壓時以及復歸至大氣壓時，在真空室內發生大量的空氣出入，因此防塵薄膜上有大量的異物附著。但是，防塵薄膜與玻璃基板等不同，無法洗浄。因此，在要求有極高的清潔度的防塵薄膜上有異物附著的情況下，立即會變成不良。
    由於上述的理由，至今為止還沒有出現使用了包括便宜的纖維素類樹脂的防塵薄膜的對短波長的光的耐久性優良的防塵薄膜。因此，在問題發生前，不得不採用貼換防塵薄膜的這種方法。
    因此本發明的第1目的是提供一種對適於使用i線、h線、g線的曝光的254 nm、313 nm等的短波長紫外線的耐性高且便宜的防塵薄膜。
    本發明的第2目的是提供一種350 nm~450 nm的波長範圍的紫外線的光微影步驟中使用的便宜且耐久性優良的防塵薄膜的製造方法。
    進一步本發明的第3目的是提供一種350 nm~450 nm的波長範圍的紫外線的光微影步驟中可以使用的便宜的防塵薄膜組件。
    本發明的上述諸目的藉由防塵薄膜、其製造方法以及使用該防塵薄膜的防塵薄膜組件而達成。所述防塵薄膜是在照射350 nm~450 nm的波長範圍的紫外線的光微影步驟中所使用的防塵薄膜組件用防塵薄膜，其特徵在於：所述防塵薄膜於原料防塵薄膜的至少曝光光源側的表面上具有紫外線吸收層，所述紫外線吸收層對上述350 nm~450 nm的波長範圍的紫外線的平均透過率為90%以上，同時對200 nm~300 nm的波長範圍的紫外線的平均透過率為50%以下。本發明中，較佳為在上述紫外線吸收層上更具有抗反射層。另外，上述紫外線吸收層較佳為藉由矽酮樹脂構成，紫外線吸收層的折射率較佳為1.50以下。


    本發明的防塵薄膜，僅管使用纖維素類樹脂、聚乙烯基縮醛樹脂、環烯烴類樹脂等與以往相同的便宜的材料，，但是對在曝光中作為不需要的成分而存在的300 nm以下的成分的光的耐性高，因此與以往的防塵薄膜相比為大幅度地提高了耐光性的優良之物。因此，可以使用更高的曝光強度，從而可以達成曝光品質的提升以及產量的提升。另外，由於使用中的膜厚的減少小，因此可以防止折皺或模糊的發生等的問題，且可以長期維持曝光品質。
    構成本發明的防塵薄膜的原料防塵薄膜的材料可以在公知的材料中進行適宜選擇，但可以使用硝化纖維素、乙基纖維素、乙酸纖維素(cellulose acetate)、丙酸纖維素(cellulose propionate)以及乙酸-丙酸纖維素(cellulose acetate propionate)等的纖維素類樹脂，聚乙烯基縮醛樹脂以及環烯烴類樹脂等與以往相同的便宜的材料。這些材料在圖案化中所使用的350 nm~450 nm的波長範圍中具有充分的耐性，但是對在曝光中作為不需要的成分而存在的300 nm以下的短波長成分的光的耐性低，從而由此產生的劣化快。本發明中，防塵薄膜的入射側表面所設置的紫外線吸收層能防止上述短波長成分到達原料防塵薄膜，因此耐光性被大幅度改善。
    上述紫外線吸收層特別是對350 nm~450 nm的波長範圍的紫外線的平均透過率為90%以上，同時亦需要對200 nm~300 nm的波長範圍的紫外線的平均透過率為50%以下。這樣的紫外線吸收層的材料可以從公知物中適宜選擇，本發明中，特佳為以矽酮樹脂構成紫外線吸收層。矽酮樹脂作為紫外線吸收層來使用時，與無機材料不同，可以在溶解於溶劑中的溶液狀態下進行塗佈成膜，因此與通常的製造防塵薄膜的情況相同，可以製造本發明的防塵薄膜。藉此可以得到異物少的本發明的清潔的防塵薄膜。另外，矽酮樹脂耐光性優良，因此具有即便吸收紫外線，劣化的程度亦極少的優點。
    本發明的防塵薄膜中，較佳為除了紫外線吸收層之外，進一步設置抗反射層。抗反射層為根據所賦予的上述紫外線吸收層的折射率而對材料、膜厚以及賦予的位置進行考慮且設置即可。抗反射層可以設置於入射側的防塵薄膜最外層、出射側的最外層或者其兩側的最外層，但亦可根據折射率的組合而設置於紫外線吸收層和原料防塵薄膜的中間。另外，抗反射層的材料不限於1種類，亦可以多種類組合而將抗反射層設為多層構造。
    另外，本發明中，將上述紫外線吸收層的折射率設為1.50以下，從而可具有紫外線吸收能力，同時具有作為抗反射層的功能。
    本發明的防塵薄膜較佳為藉由如下來製造：構成本發明的防塵薄膜的原料防塵薄膜、紫外線吸收層以及抗反射層之中，將成為最外層的任一個材料溶液塗佈在成膜基板上，將其乾燥、固化後，在該乾燥固化的層上，根據所希望的膜構造的順序，反覆進行同樣的步驟，以依序將各層的構成材料塗佈、乾燥以及固化，最後，將成膜基板上形成積層的防塵薄膜的整體從成膜基板上剝離即可。藉由該手法，與通常的防塵薄膜的製造方法相同，可以得到異物的附著少且具有紫外線吸收層的本發明的防塵薄膜。
    由於本發明的防塵薄膜具有吸收200 nm~300 nm的波長範圍的紫外線(於防塵薄膜的曝光光源側使原料防塵薄膜劣化的主原因)的紫外線吸收層，所以即便不使用高價的氟類樹脂作為原料防塵薄膜也可以成為耐光性優良的防塵薄膜。特別是如上述，在使用矽酮樹脂作為紫外線吸收層的情況下，可以溶解於溶劑而塗佈紫外線吸收層，因此能夠以與通常製造防塵薄膜的情況同樣的方法來製造本發明的防塵薄膜，從而可以便宜地得到耐久性優良，同時異物少且清潔的防塵薄膜。
    圖1為表示本發明的防塵薄膜組件的外形的截面圖。圖中的符號15為本發明的防塵薄膜，透過接著層13對防塵薄膜組件框架11施加適當的張力而貼附於防塵薄膜組件框架11。符號12是使用時用以將防塵薄膜組件貼著於光罩的黏著層，14為在使用前用以保護黏著層的剝離片。
    圖2為圖1中的防塵薄膜的A部份的放大截面圖。符號21為原料防塵薄膜，符號22為紫外線吸收層。圖3與圖2相同，為圖1中的防塵薄膜的A部份的放大截面圖，但是除了紫外線吸收層22以外，具有抗反射層23的實施方式的情況。
    在利用350 nm~450 nm的波長範圍的紫外線的所有光微影中，本發明的防塵薄膜組件可以作為防塵薄膜組件來使用，其使用波長、用途、大小等沒有限制。貼附本發明的防塵薄膜的防塵薄膜組件框架11的材料可以從工程塑膠、鋼鐵、不銹鋼、鋁合金、鈦以及其合金、CFRP(Carbon Fiber Reinforced Polymer/Plastic，碳纖維強化聚合物/塑膠)等公知的防塵薄膜組件框架所使用的材料中進行適宜選擇。
    本發明的防塵薄膜15所使用的原料防塵薄膜21的材料可以從公知的防塵薄膜材料中進行適宜的選擇，也可以使用氟類樹脂等對350 nm以下的光的耐光性優良的高價的材料，但是在本發明中，由於硝化纖維素、乙基纖維素、乙酸纖維素、丙酸纖維素以及乙酸-丙酸纖維素等的纖維素類樹脂、聚乙烯基縮醛樹脂以及環烯烴類樹脂等便宜，因此可適當地使用。
    本發明使用的紫外線吸收層22的材料，較佳為在塗佈有防塵薄膜的狀態下，對350 nm~450 nm的波長範圍中的紫外線的平均透過率為90%以上，同時對200 nm~300 nm的波長範圍的紫外線的平均透過率為50%以下的有機物質構成，特別是在紫外線的照射下，必須為不產生劣化或發塵問題的材料。從該觀點出發，在本發明中，如上述，較佳為使用不僅透明性高、透過率優良，而且在短波長的紫外線照射下，耐光性也優良的矽酮樹脂。另外，硬化前的矽酮樹脂可以溶解於甲苯，二甲苯等的有機溶劑，所以易於塗佈而形成膜狀。
    本發明所使用的上述矽酮樹脂較佳為導入有甲基、苯基的直鏈矽酮樹脂，或者導入有聚醚、環氧、胺、羰基、芳烷基、氟烷基等的有機改質矽酮樹脂等。在本發明中，從光學的特性以及機械的特性兩方面進行考慮，只要從該些矽酮樹脂中選擇具有所希望之特性之物即可。另外，作為樹脂的形態，較佳為固體且具有所希望的膜強度以及柔軟性的樹脂或橡膠等的形態。本發明中，這些矽酮樹脂或橡膠的硬化機構並不特別限定，可為加熱硬化型、2液硬化型以及加成反應型的任一個。
    本發明中，使曝光的光在到達原料防塵薄膜21之前以透過紫外線吸收層22的方式，即以紫外線吸收層位於光的入射側的方式配置本發明的防塵薄膜15。但是，在兼有抗反射膜23的紫外線吸收層的情況下，亦可進一步將該紫外線吸收層22重疊設置在出射側(未繪示)。
    本發明中，如圖3所示，除了紫外線吸收層22以外，亦可進一步設置抗反射層23。圖3的實施方式中，抗反射層23設置在與設有紫外線吸收層22的表面為相反側的原料防塵薄膜21的表面上，但是亦可以在紫外線吸收層22上，進一步設置抗反射層來代替上述情況或者除了上述情況外，亦另外在紫外線吸收層22上進一步設置抗反射層。另外，根據紫外線吸收層22的折射率，亦可在紫外線吸收層22和原料防塵薄膜21的中間設置抗反射層。本發明的防塵薄膜15包括這些所有的方式。
    抗反射層的材料，可以從具有比隣接的層的折射率低的折射率的公知的材料中進行適宜選擇。例如，在設置於包括一般的纖維素類樹脂的原料防塵薄膜表面的情況下，纖維素類樹脂的折射率約為1.5，因此可適當地使用折射率為1.3~1.35左右的氟類樹脂。另外，膜厚或層數等只要根據使用的材料且依照公知技術進行適宜設計即可。
    根據上述的理由，如使紫外線吸收層22的折射率變為1.5以下，紫外線吸收層22就可以兼有抗反射層的功能，由此，抗反射層亦可以省略，如圖3所示的實施方式那樣，亦可成為除了抗反射層以外，從光的入射側算起，為紫外線吸收層(兼抗反射層)→原料防塵薄膜→抗反射層的3層的構成形式。該構成中，成膜回數多，成本上不利，但是可以得到耐光性優良、透過率高的効果。特別是光學用途所開發的矽酮樹脂的折射率以1.40至1.50為多，可以適宜地利用。
    另外，關於紫外線吸收層22的膜厚，與其說根據抗反射層的膜厚設計的情況，不如說應該重視紫外線透過特性來進行決定。從原材料的波長-光透過率特性來看，350 nm~450 nm的波長範圍的範圍中的平均光透過率為90%以上，較佳為盡量為高透過率，另外，必須以200 nm~300 nm的波長範圍的範圍中平均光透過率成為50%以下的方式來進行考慮，從而決定紫外線吸收層22的膜厚。
    以下，對本發明的防塵薄膜的製造方法進行詳述。
    本發明的防塵薄膜基本上可以在平滑基板上成膜了的原料防塵薄膜的表面塗佈紫外線吸收層的材料溶液而成膜，藉此獲得。若對成為圖3所示的實施方式的紫外線吸收層-原料防塵薄膜-抗反射膜的3層構造的情況進行說明，首先，在蘇打玻璃、石英玻璃、矽晶圓等的平滑研磨了的基板上，將紫外線吸收材料的溶液，用旋轉塗佈法、縫隙及旋轉法(slit and spin method)、縫隙塗佈法等的公知的手段進行塗佈‧乾燥，固化得到紫外線吸收層22。膜厚是從透過率來進行設計決定。接著，將原料防塵薄膜材料的溶液，按光學設計而塗佈在上述成膜的紫外線吸收層22上，使其乾燥固化，得到原料防塵薄膜21。同樣地將抗反射材料的溶液塗佈在原料防塵薄膜上，使其乾燥固化，在上述成膜的原料防塵薄膜上，進一步設置抗反射層23。
    上述的各種成膜按照本發明的防塵薄膜的構造設計來進行即可，沒有任何的限定。在此，對基底的紫外線吸收層的成膜方式進行說明，但是亦可將抗反射層設為最下層，其上層成膜原料防塵薄膜，進一步在原料防塵薄膜上進行紫外線吸收層的成膜。該順序可以根據步驟的狀況而採取正逆皆可，但是較佳為將與成膜基板的剝離性高的層作為最下層(=成膜基板側)。另外，視需要亦可在成膜基板表面上進行提高剝離性的表面處理。
    如上述，在成膜基板上得到固化的本發明的防塵薄膜15後，使其接著外形與基板外形相同的框狀的剝離夾具(未繪示)黏接，若將其慢慢地拉起剝離，就可以得到具有紫外線吸收層的本發明的防塵薄膜。
    另外，若將如此得到的本發明的防塵薄膜接著至賦予有接著層的防塵薄膜組件框架上，即可得到本發明的防塵薄膜組件。
    以下，對本發明用實施例進行進一步說明，但是對本發明並沒有任何限定。 [實施例1]
    藉由機械加工製作如圖4所示的形狀的A5052鋁合金製防塵薄膜組件框架41。該防塵薄膜組件框架41的形狀是各角部的外尺寸為1146 mm x 1392 mm，各角部的內寸為1124 mm x 1370 mm的長方形，厚度為5.8 mm，各角部的形狀內側為R2，外側為R6。另外，在長邊設置4處直徑2.5 mm、深度2 mm的凹孔43作為處理用，在短邊以及長邊的2處設置高度2 mm、深度3 mm的溝42。進一步，在兩長邊設置8處直徑為1.5 mm的通氣孔46。
    將該防塵薄膜組件框架運入10級(Class 10)的無塵室，用界面活性劑以及純水好好地洗浄且使其乾燥。然後，在防塵薄膜組件框架的一個端面設置矽酮接著層作為防塵薄膜接著層45，在另一個端面藉由甲苯稀釋矽酮黏著劑(商品名都為KR3700，信越化學工業(股)製)，用空氣加壓式分注器(dispenser)進行塗佈而作為光罩黏著層44，加熱使其硬化。然後，以將防塵薄膜組件框架41側面的通氣孔46覆蓋的方式貼附過濾器47。最後，將脫膜劑賦予至表面，將厚度150 μm的PET薄膜藉由切割繪圖機(cutting plotter)切斷加工成與防塵薄膜組件框架大致同樣形狀而製作，貼附光罩黏著層保護用剝離片(未繪示)，從而框架部分完成。
    另外，在1200 mm×1500 mm×厚度17 mm的平滑研磨的石英製的成膜基板上，將丙酸纖維素(Sigma-Aldrich製)用乙酸丁酯稀釋而成的原料防塵薄膜材料溶液，藉由縫隙塗佈法進行塗佈。此時的塗佈量以乾燥後膜厚成為4.0 μm的方式進行設定。將其進行1小時靜置，使溶劑自然乾燥成某種程度後，用IR燈(未繪示)加熱至130℃，從而原料防塵薄膜形成。
    然後，在該原料防塵薄膜上，將進行了加成硬化型矽酮橡膠(商品名KER-2500，信越化學工業(股)製)A液、B液進行良好混合，用甲苯進行了黏度調整後，藉由縫隙塗佈法進行塗佈而作為紫外線吸收層。此時，以乾燥後膜厚變為1 μm的方式進行調整。其後，水平地靜置2小時而使表面平滑，同時將用於稀釋的甲苯蒸發，進一步用IR燈在100℃下進行1小時加熱，然後在150℃下進行5小時加熱，使其完全反應而硬化。該紫外線吸收層的折射率為1.41。將全體冷卻至室溫，使與基板外形同樣形狀的框狀的不銹鋼製剝離夾具接著至紫外線吸收層，邊除電邊慢慢地拉起，得到本發明的防塵薄膜來作為剝離膜。
    然後，將紫外線吸收層以向著防塵薄膜接著層側的方式進行配置，在上述的防塵薄膜組件框架41的接著層45上使具有紫外線吸收層的本發明的防塵薄膜48接著，將防塵薄膜組件框架41周圍的不需要的膜用切割刀切斷除去，本發明的防塵薄膜組件40完成。
    關於得到的本發明的防塵薄膜組件，使用透過率測定機(大塚電子(股)製)對防塵薄膜的光透過率進行測量，結果波長350 nm-450 nm的全波長範圍中，平均為95.2%的透過率。另一方面，波長200 nm~300 nm的波長範圍中，透過率的平均值約為48%。
    進一步，對得到的本發明的防塵薄膜組件照射高壓水銀燈，確認到耐光性。對高壓水銀燈(牛尾電機(股)製)以光按照紫外線吸收層→防塵薄膜的順序通過的方式進行配置，對防塵薄膜面照射光強度為5000 mW/cm2的紫外線，從而上述波長範圍中的光透過率、膜厚的變化以及外觀得到確認。其結果，即使進行實驗至累積能量60萬J，上述光透過率、膜厚以及照射部的外觀亦沒有發現變化。 [實施例2]
    與實施例1同樣地製作外尺寸280 mm×280 mm，內尺寸270 mm×280 mm，高度4.8 mm的A5052鋁合金製防塵薄膜組件框架，在10級的無塵室中使用界面活性劑和純水進行良好地洗浄，使其完全乾燥。其後，在一個端面將矽酮黏著劑(商品名：X-40-3004A，信越化學工業(股)製)作為用以附著於光罩的黏著層，在另一端面塗佈矽酮黏著劑(商品名：KR3700，信越化學工業(股)製)作為用以使本發明的防塵薄膜進行接著的接著劑，以烘箱加熱而使其硬化。然後，將對厚度150 μm的PET薄膜塗佈氟改質矽酮而成的剝離片切斷成與框架外尺寸大致同樣形狀的框狀，且貼附於上述黏著層上。
    接著，使用表面進行了平滑研磨以及進行了良好洗浄的350 mm x 350 mm x厚度8 mm的石英基板，藉由旋轉塗佈法將以氟類溶劑(商品名：EF-L174，三菱材料(股)製)稀釋而成的氟樹脂(商品名：CYTOP，旭硝子(股)製)塗佈於石英基板上。此時的膜厚以乾燥後成為0.07 μm的方式進行調整。塗佈後，將成膜基板一邊保持水平，一邊乾燥至溶劑難以流動為止，然後用加熱板加熱到180℃，以將溶劑完全除去。
    接著，將丙酸纖維素(Sigma-Aldrich製)藉由乙酸丁酯進行稀釋，且藉由旋轉塗佈法塗佈在上述氟樹脂層的上面。此時的膜厚以乾燥後的纖維素樹脂層成為4 μm的方式進行調整。塗佈後，此時亦一邊將成膜基板保持水平，一邊乾燥至溶劑難以流動為止，然後用加熱板加熱到130℃，以將溶劑完全除去。
    接著，將有機改質矽酮樹脂(商品名：SCR1011，信越化學工業(股)製)的A液和B液進行良好混合，且藉由旋轉塗佈法塗佈以甲苯調整黏度而成的溶液來作為紫外線吸收層。此時，膜厚以乾燥後變為1 μm的方式進行調整。其後，水平地靜置2小時而表面整平，同時對稀釋過的甲苯進行蒸發，進一步，使用IR燈在70℃下進行1小時加熱，然後在150℃下進行5小時加熱，使其完全反應而硬化。此外，該紫外線吸收層的折射率約為1.5。
    紫外線吸收層的硬化後，將全體冷卻至室溫，接著與基板外形同樣形狀的鋁合金製框，邊除電邊慢慢剝離而得到本發明的防塵薄膜。使得到的本發明的防塵薄膜的紫外線吸收層向著接著層而接著於上述接著層，框架外側的防塵薄膜用切割刀切斷除去而得到本發明的防塵薄膜組件。對該防塵薄膜組件的防塵薄膜使用透過率測定機(大塚電子(股)製)測量光透過率，結果350 nm~450 nm的波長範圍中的平均透過率為95.0%，200 nm~300 nm的波長範圍則約為35%。 [比較例]
    使用與實施例1中使用的防塵薄膜組件框架相同的防塵薄膜組件框架，製作防塵薄膜組件。使用僅包括上述實施例1中使用的丙酸纖維素的厚度為4 μm的單層膜作為此時使用的防塵薄膜。除僅將紫外線吸收層成膜的步驟省略以外，該防塵薄膜的製造方法與實施例1相同。
    對該防塵薄膜組件使用透過率測定機(大塚電子(股)製)測量防塵薄膜的光透過率，結果350 nm~450 nm的波長範圍中的平均透過率為95.0%。對該防塵薄膜組件在與實施例1的情況同樣的條件下進行光照射實驗，結果累積能量變為60萬J時，在照射部發生輕薄的白濁的圓形的照射痕。另外，關於透過率，在350 nm~450 nm的波長範圍中的平均透過率可以觀察到約2%的降低，同時從測定光譜計算膜厚，結果可以確認到約40 nm的膜厚減少。 [產業上的利用可能性]
    本發明的防塵薄膜，在使用波長350 nm~450 nm的紫外線的光微影中，儘管使用便宜的纖維素類樹脂等的膜材料，但是亦大幅度地提高耐光性，因此本發明在產業上極有意義。
    11‧‧‧防塵薄膜組件框架
    12‧‧‧黏著層
    13‧‧‧接著層
    14‧‧‧剝離片
    15‧‧‧本發明的防塵薄膜
    21‧‧‧原料防塵薄膜
    22‧‧‧紫外線吸收層
    23‧‧‧抗反射層
    40‧‧‧本發明的防塵薄膜組件
    41‧‧‧防塵薄膜組件框架
    42‧‧‧溝
    43‧‧‧夾具孔
    44‧‧‧黏著層
    45‧‧‧接著層
    46‧‧‧通氣孔
    47‧‧‧過濾器
    48‧‧‧具有紫外線吸收層的本發明的防塵薄膜
    圖1為表示本發明的防塵薄膜組件的基本構造的截面圖。
    圖2為具有紫外線吸收層的本發明的防塵薄膜的截面圖。
    圖3為除了紫外線吸收層以外，更具有抗反射層的本發明的防塵薄膜的截面圖。
    圖4為本發明的防塵薄膜組件的概略立體圖。
    15‧‧‧本發明的防塵薄膜
    21‧‧‧原料防塵薄膜
    22‧‧‧紫外線吸收層
    权利要求:
    Claims (7)
    [1] 一種防塵薄膜，其為在照射350 nm~450 nm的波長範圍的紫外線的光微影步驟中所用的防塵薄膜組件用防塵薄膜，其特徵在於：所述防塵薄膜於原料防塵薄膜的至少曝光光源側的表面上具有紫外線吸收層；所述紫外線吸收層對於所述350 nm~450 nm的波長範圍的紫外線，在所述波長範圍下的平均透過率為90%以上；以及所述紫外線吸收層對於200 nm~300 nm的紫外線，在此波長範圍下的平均透過率為50%以下。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜，其中在所述紫外線吸收層上更具有抗反射層。
    [3] 如申請專利範圍第1項或第2項所述的防塵薄膜，其中構成所述紫外線吸收層的結合樹脂為矽酮樹脂。
    [4] 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的防塵薄膜，其中所述紫外線吸收層的折射率為1.50以下。
    [5] 一種具有紫外線吸收層以及抗反射層的防塵薄膜的製造方法，其在成膜基板上將原料防塵薄膜、紫外線吸收層以及抗反射層的3層以任意的順序依序設置後，將所述成膜基板剝離，其特徵在於：所述各層是將與各層對應的材料溶液塗佈後，使其乾燥、固化，藉此依序形成。
    [6] 一種防塵薄膜組件，其特徵在於：將藉由如申請專利範圍第5項的方法所製造的防塵薄膜貼附在防塵薄膜組件框架上而成。
    [7] 一種防塵薄膜組件，其特徵在於：將如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的防塵薄膜貼附在防塵薄膜組件框架上而成。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    TWI446104B|2014-07-21|防塵薄膜、其製造方法以及貼附該膜的防塵薄膜組件
    KR102089835B1|2020-03-16|필름 마스크, 이의 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
    JP5285185B2|2013-09-11|フォトマスクユニット及びその製造方法
    US20080264441A1|2008-10-30|Method for removing residuals from photomask
    KR101431304B1|2014-08-20|리소그래피용 펠리클
    TWI493278B|2015-07-21|A film | film, a film for manufacturing a mask for manufacturing a TFT liquid crystal panel, and a film containing a film
    JP2011113033A|2011-06-09|ペリクル膜の製造方法および装置
    JP4903829B2|2012-03-28|リソグラフィ用ペリクル
    TWI431414B|2014-03-21|微影用防塵薄膜組件
    JP2022010209A|2022-01-14|ペリクル
    TWI585517B|2017-06-01|Dustproof film module containers for microfilm for incorporating dustproof film modules
    US20090042107A1|2009-02-12|Pellicle for high numerical aperture exposure device
    JP4345882B2|2009-10-14|大型ペリクル
    TWI612369B|2018-01-21|Euv光罩無機保護薄膜組件製造方法
    TWI571698B|2017-02-21|Method for manufacturing EUV mask inorganic protective film module
    JP4371458B2|2009-11-25|ペリクルの製造方法
    JPH08123013A|1996-05-17|ペリクルおよびその接着方法
    JP4185233B2|2008-11-26|リソグラフィー用ペリクル
    JP2017187774A|2017-10-12|ペリクル
    JP2019066848A|2019-04-25|ペリクル
    JP4202547B2|2008-12-24|リソグラフィー用ペリクル
    US20100233591A1|2010-09-16|Process for producing pellicle, and pellicle
    JP2007004039A|2007-01-11|ペリクル
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    JP2012212043A|2012-11-01|
    HK1174397A1|2013-06-07|
    JP5279862B2|2013-09-04|
    KR20120111997A|2012-10-11|
    CN102736400A|2012-10-17|
    CN102736400B|2014-02-05|
    TWI446104B|2014-07-21|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    TWI578096B|2013-03-22|2017-04-11|V科技股份有限公司|校正用光罩及校正方法|JP2938636B2|1991-09-26|1999-08-23|信越化学工業株式会社|リソグラフィ−用ペリクル|
    JPH0594006A|1991-10-01|1993-04-16|Asahi Chem Ind Co Ltd|耐光性ペリクル|
    JPH10139932A|1996-11-05|1998-05-26|Asahi Chem Ind Co Ltd|ペリクルの製造方法及びそれにより得られたペリクル|
    JP2005070120A|2003-08-27|2005-03-17|Shin Etsu Chem Co Ltd|リソグラフィ用ペリクル|
    KR101338037B1|2008-11-21|2014-01-28|호야 가부시키가이샤|펠리클막, ｔｆｔ 액정 패널 제조용 마스크와 함께 이용하는 펠리클, 및 상기 펠리클을 포함하는 포토마스크|CA2430253C|2000-12-15|2011-04-26|The Arizona Board Of Regents|Method for patterning metal using nanoparticle containing precursors|
    EP3196700B1|2014-09-19|2019-01-30|Mitsui Chemicals, Inc.|Pellicle, pellicle production method and exposure method using pellicle|
    SG11201701805QA|2014-09-19|2017-04-27|Mitsui Chemicals Inc|Pellicle, production method thereof, exposure method|
    US10031411B2|2014-11-26|2018-07-24|Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.|Pellicle for EUV mask and fabrication thereof|
    KR101970059B1|2016-04-05|2019-04-17|아사히 가세이가부시키가이샤|펠리클|
    TWI641783B|2016-09-02|2018-11-21|蔡惟名|Gas burner and its safety switch|
    KR20190038369A|2017-09-29|2019-04-08|아사히 가세이 가부시키가이샤|펠리클|
    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011077976A|JP5279862B2|2011-03-31|2011-03-31|ペリクル膜、その製造方法及び該膜を張ったペリクル|
    [返回顶部]